Intercalación de litio en un semiconductor III-V

Se efectuó la litiación directa de muestras monocristalinas de InSb, orientadas (111), de tipo n, empleando n-butil-litio en solución de hexano, a temperatura ambiente. El proceso de litiación fué estudiado por difractometría de rayos X y con mediciones eléctricas. Los datos obtenidos de resistivida...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Herren, G., Walsöe de Reca, Noemí Elisabeth
Lenguaje:Español
Publicado: 1989
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p249
Aporte de:
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