Intercalación de litio en un semiconductor III-V
Se efectuó la litiación directa de muestras monocristalinas de InSb, orientadas (111), de tipo n, empleando n-butil-litio en solución de hexano, a temperatura ambiente. El proceso de litiación fué estudiado por difractometría de rayos X y con mediciones eléctricas. Los datos obtenidos de resistivida...
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Autores principales: | , |
---|---|
Lenguaje: | Español |
Publicado: |
1989
|
Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p249 |
Aporte de: |
id |
todo:afa_v01_n01_p249 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
todo:afa_v01_n01_p2492023-10-03T13:18:53Z Intercalación de litio en un semiconductor III-V Herren, G. Walsöe de Reca, Noemí Elisabeth Se efectuó la litiación directa de muestras monocristalinas de InSb, orientadas (111), de tipo n, empleando n-butil-litio en solución de hexano, a temperatura ambiente. El proceso de litiación fué estudiado por difractometría de rayos X y con mediciones eléctricas. Los datos obtenidos de resistividad y de coeficientes de Hall permitieron determinar un coeficiente de difusión de litio en InSb a temperatura ambiente D₂₉₈ĸ = 1,09 x 10ˉ⁸ cm² sˉ¹ de acuerdo con valores de literatura hallados por otros métodos. Se discute un probable mecanismo de intercalación y se demuestra la reversibilidad del proceso Fil: Herren, G.. Fundación Bunge y Born. CABA. Argentina Fil: Walsöe de Reca, Noemí Elisabeth. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina 1989 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p249 |
institution |
Universidad de Buenos Aires |
institution_str |
I-28 |
repository_str |
R-134 |
collection |
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) |
language |
Español |
orig_language_str_mv |
Español |
description |
Se efectuó la litiación directa de muestras monocristalinas de InSb, orientadas (111), de tipo n, empleando n-butil-litio en solución de hexano, a temperatura ambiente. El proceso de litiación fué estudiado por difractometría de rayos X y con mediciones eléctricas. Los datos obtenidos de resistividad y de coeficientes de Hall permitieron determinar un coeficiente de difusión de litio en InSb a temperatura ambiente D₂₉₈ĸ = 1,09 x 10ˉ⁸ cm² sˉ¹ de acuerdo con valores de literatura hallados por otros métodos. Se discute un probable mecanismo de intercalación y se demuestra la reversibilidad del proceso |
author |
Herren, G. Walsöe de Reca, Noemí Elisabeth |
spellingShingle |
Herren, G. Walsöe de Reca, Noemí Elisabeth Intercalación de litio en un semiconductor III-V |
author_facet |
Herren, G. Walsöe de Reca, Noemí Elisabeth |
author_sort |
Herren, G. |
title |
Intercalación de litio en un semiconductor III-V |
title_short |
Intercalación de litio en un semiconductor III-V |
title_full |
Intercalación de litio en un semiconductor III-V |
title_fullStr |
Intercalación de litio en un semiconductor III-V |
title_full_unstemmed |
Intercalación de litio en un semiconductor III-V |
title_sort |
intercalación de litio en un semiconductor iii-v |
publishDate |
1989 |
url |
https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p249 |
work_keys_str_mv |
AT herreng intercalaciondelitioenunsemiconductoriiiv AT walsoederecanoemielisabeth intercalaciondelitioenunsemiconductoriiiv |
_version_ |
1807318085701468160 |