Intercalación de litio en un semiconductor III-V
Se efectuó la litiación directa de muestras monocristalinas de InSb, orientadas (111), de tipo n, empleando n-butil-litio en solución de hexano, a temperatura ambiente. El proceso de litiación fué estudiado por difractometría de rayos X y con mediciones eléctricas. Los datos obtenidos de resistivida...
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| Autores principales: | , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1989
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p249 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Se efectuó la litiación directa de muestras monocristalinas de InSb, orientadas (111), de tipo n, empleando n-butil-litio en solución de hexano, a temperatura ambiente. El proceso de litiación fué estudiado por difractometría de rayos X y con mediciones eléctricas. Los datos obtenidos de resistividad y de coeficientes de Hall permitieron determinar un coeficiente de difusión de litio en InSb a temperatura ambiente D₂₉₈ĸ = 1,09 x 10ˉ⁸ cm² sˉ¹ de acuerdo con valores de literatura hallados por otros métodos. Se discute un probable mecanismo de intercalación y se demuestra la reversibilidad del proceso |
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