Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor

Mostrar todas las versiones(2)

Se emplea el método isotérmico de epitaxia en fase vapor para la obtención de capas Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe con un gradiente de composición, sobre sustratos de Cd₁₋ₓMnₓ Te. En esta técnica, la composición superficial y las características electrónicas (tipo de conductividad y movilidad de los portadores) pu...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Cánepa, Horacio Ricardo, Heredia, E., Nöllmann, I.
Lenguaje:Español
Publicado: 1989
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p269
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id todo:afa_v01_n01_p269
record_format dspace
spelling todo:afa_v01_n01_p2692023-10-03T13:18:55Z Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor Cánepa, Horacio Ricardo Heredia, E. Nöllmann, I. Se emplea el método isotérmico de epitaxia en fase vapor para la obtención de capas Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe con un gradiente de composición, sobre sustratos de Cd₁₋ₓMnₓ Te. En esta técnica, la composición superficial y las características electrónicas (tipo de conductividad y movilidad de los portadores) pueden ser controladas ajustando las temperaturas del sustrato y la fuente por un lado y la del Hg por otro. Los crecimientos fueron caracterizados por rayos X (método de Laue), microscopía electrónica de barrido y microsonda electrónica, técnicas de "etching" y efecto Halkl. Los mismos presentan características adecuadas para su posterior aplicación en la fabricación de detectores de IR de tipo fotovoltaico Fil: Cánepa, Horacio Ricardo. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina Fil: Heredia, E.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina Fil: Nöllmann, I.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina 1989 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p269
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-134
collection Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language Español
orig_language_str_mv Español
description Se emplea el método isotérmico de epitaxia en fase vapor para la obtención de capas Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe con un gradiente de composición, sobre sustratos de Cd₁₋ₓMnₓ Te. En esta técnica, la composición superficial y las características electrónicas (tipo de conductividad y movilidad de los portadores) pueden ser controladas ajustando las temperaturas del sustrato y la fuente por un lado y la del Hg por otro. Los crecimientos fueron caracterizados por rayos X (método de Laue), microscopía electrónica de barrido y microsonda electrónica, técnicas de "etching" y efecto Halkl. Los mismos presentan características adecuadas para su posterior aplicación en la fabricación de detectores de IR de tipo fotovoltaico
author Cánepa, Horacio Ricardo
Heredia, E.
Nöllmann, I.
spellingShingle Cánepa, Horacio Ricardo
Heredia, E.
Nöllmann, I.
Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor
author_facet Cánepa, Horacio Ricardo
Heredia, E.
Nöllmann, I.
author_sort Cánepa, Horacio Ricardo
title Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor
title_short Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor
title_full Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor
title_fullStr Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor
title_full_unstemmed Crecimiento de capas epitaxiales de CdₓHg₁₋ₓ₋yMnyTe utilizando el método de epitaxia en fase vapor
title_sort crecimiento de capas epitaxiales de cdₓhg₁₋ₓ₋ymnyte utilizando el método de epitaxia en fase vapor
publishDate 1989
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v01_n01_p269
work_keys_str_mv AT canepahoracioricardo crecimientodecapasepitaxialesdecdxhg1xymnyteutilizandoelmetododeepitaxiaenfasevapor
AT herediae crecimientodecapasepitaxialesdecdxhg1xymnyteutilizandoelmetododeepitaxiaenfasevapor
AT nollmanni crecimientodecapasepitaxialesdecdxhg1xymnyteutilizandoelmetododeepitaxiaenfasevapor
_version_ 1807324156740501504

Ejemplares similares