Crecimiento de grano por tensión inducida en TCM

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Se ha observado en lingotes del semiconductor TeCdₓHg₁₋ₓ con x=0,2 (crecidos por el método de Bridgman) el fenómeno de crecimiento y migración de granos por tensión inducida (SlBM). Las protuberancias crecidas en un cristal han sido caracterizadas por microscopía óptica (luz polarizada) y por micros...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Cánepa, Horacio Ricardo, Walsöe de Reca, N. E.
Lenguaje:Español
Publicado: 1990
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p223
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling todo:afa_v02_n01_p2232023-10-03T13:19:23Z Crecimiento de grano por tensión inducida en TCM Cánepa, Horacio Ricardo Walsöe de Reca, N. E. Se ha observado en lingotes del semiconductor TeCdₓHg₁₋ₓ con x=0,2 (crecidos por el método de Bridgman) el fenómeno de crecimiento y migración de granos por tensión inducida (SlBM). Las protuberancias crecidas en un cristal han sido caracterizadas por microscopía óptica (luz polarizada) y por microscopía electrónica de barrido. Se analizan las causas del fenómeno en función del modelo de Beck y Sperry Fil: Cánepa, Horacio Ricardo. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina Fil: Walsöe de Reca, N. E.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina 1990 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p223
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