Crecimiento de grano por tensión inducida en TCM
Se ha observado en lingotes del semiconductor TeCdₓHg₁₋ₓ con x=0,2 (crecidos por el método de Bridgman) el fenómeno de crecimiento y migración de granos por tensión inducida (SlBM). Las protuberancias crecidas en un cristal han sido caracterizadas por microscopía óptica (luz polarizada) y por micros...
Guardado en:
| Autores principales: | , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1990
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p223 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Se ha observado en lingotes del semiconductor TeCdₓHg₁₋ₓ con x=0,2 (crecidos por el método de Bridgman) el fenómeno de crecimiento y migración de granos por tensión inducida (SlBM). Las protuberancias crecidas en un cristal han sido caracterizadas por microscopía óptica (luz polarizada) y por microscopía electrónica de barrido. Se analizan las causas del fenómeno en función del modelo de Beck y Sperry |
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