Relación entre propiedades mecánicas e ionicidad en semiconductores II-V y II-VI
En una serie de materiales pertenecientes a los grupos de semiconductores III-V y II-VI y que presentaban todos la misma estructura cristalina (tipo diamante-blenda de Cinc, polares) aunque con uniones atómicas de diferentes proporciones de carácter iónico y covalente, se investigó la dependencia en...
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1990
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todo:afa_v02_n01_p2302023-10-03T13:19:24Z Relación entre propiedades mecánicas e ionicidad en semiconductores II-V y II-VI Miralles, M. Walsöe de Reca, N. E. En una serie de materiales pertenecientes a los grupos de semiconductores III-V y II-VI y que presentaban todos la misma estructura cristalina (tipo diamante-blenda de Cinc, polares) aunque con uniones atómicas de diferentes proporciones de carácter iónico y covalente, se investigó la dependencia entre la energía de fractura (generada por indentación con microdurómetro Vickers) y la ionicidad. Se estudió la velocidad de propagación de las fracturas (iniciadas en la microimpronta) a temperatura ambiente por microscopía óptica y microscopía electrónica de barrido. Se consideró, además, el efecto del medio en el que se efectuaba la indentación (agua, alcohol etílico, acetona y aceite de siliconas) sobre la propagación de las microfisuras. Fil: Miralles, M.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina Fil: Walsöe de Reca, N. E.. Centro de Investigaciones en Sólidos (CINSO-CITEFA-CONICET). Buenos Aires. Argentina 1990 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v02_n01_p230 |
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Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) |
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