Rango de amorfización y procesos de recristalización en aleaciones del sistema MgGaSn
Varias aleaciones de composiciones pertenecientes a la zona rica en Mg del sistema MgGaSn fueron templadas desde el líquido, encontrándose una zona de amortización en el entorno del eutéctico binario Mg₈₀.₈₇ Ga₁₉.₁₃ (% at.). Se estudiaron los procesos de recristalización en aleaciones amorfas con y...
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1993
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Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p392 |
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todo:afa_v05_n01_p3922023-10-03T13:21:17Z Rango de amorfización y procesos de recristalización en aleaciones del sistema MgGaSn Fontana, Marcelo Arcondo, Bibiana Graciela Varias aleaciones de composiciones pertenecientes a la zona rica en Mg del sistema MgGaSn fueron templadas desde el líquido, encontrándose una zona de amortización en el entorno del eutéctico binario Mg₈₀.₈₇ Ga₁₉.₁₃ (% at.). Se estudiaron los procesos de recristalización en aleaciones amorfas con y sin Sn de composiciones Mg₈₁.₀₉ Ga₁₈.₉₁ y Mg₈₀.₅₇ Ga₁₇ .₇₆ Sn₁.₆₇ (% at.) por medidas isotérmicas de resistividad a distintas temperaturas y por difracción de rayos X. Se observó que una pequeña adición de estaño al eutéctico binario MgGa produce cambios muy importantes en los productos de la recristalización así como en los tiempos típicos de evolución. Se calcularon las energías de activación para los amorfos estudiados. Se indica, en primera aproximación, el rango de amortización ternario MgGaSn alloys with compositions located in the Mg rich corner of the ternary phases diagram were rapidly quenched. An amorfization zone was found around the binary eutectic Mg₈₀.₈₇ Ga₁₉.₁₃ (% at.). The recrystallization processes of Mg₈₁.₀₉ Ga₁₈.₉₁, and Mg₈₀.₅₇ Ga₁₇ .₇₆ Sn₁.₆₇ amorphous alloy were studied by means of X ray diffraction and isothermal measurements of electrical resistivity. A small amount of Sn added to the binary eutectic was found to modify the cristallization products and the evolution time. Crystallization activation energies were estimated. The amorfization zone, as a first approximation, is indicated Fil: Fontana, Marcelo. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física (UBA-FI). Grupo de Sólidos Amorfos. Buenos Aires. Argentina Fil: Arcondo, Bibiana Graciela. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física (UBA-FI). Grupo de Sólidos Amorfos. Buenos Aires. Argentina 1993 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v05_n01_p392 |
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Varias aleaciones de composiciones pertenecientes a la zona rica en Mg del sistema MgGaSn fueron templadas desde el líquido, encontrándose una zona de amortización en el entorno del eutéctico binario Mg₈₀.₈₇ Ga₁₉.₁₃ (% at.). Se estudiaron los procesos de recristalización en aleaciones amorfas con y sin Sn de composiciones Mg₈₁.₀₉ Ga₁₈.₉₁ y Mg₈₀.₅₇ Ga₁₇ .₇₆ Sn₁.₆₇ (% at.) por medidas isotérmicas de resistividad a distintas temperaturas y por difracción de rayos X. Se observó que una pequeña adición de estaño al eutéctico binario MgGa produce cambios muy importantes en los productos de la recristalización así como en los tiempos típicos de evolución. Se calcularon las energías de activación para los amorfos estudiados. Se indica, en primera aproximación, el rango de amortización ternario |
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