Elaboración y caracterización de junturas para celdas solares de silicio cristalino

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Se realizaron numerosas experiencias de elaboración de la juntura n⁺p sobre obleas de silicio monocristalino tipo p, mediante la difusión de fósforo en horno a alta temperatura a partir de una fuente líquida de POCl₃. La técnica utilizada consta de dos pasos: una predeposición a aproximadamente 850...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Martínez Bogado, M. G., Tamasi, Mariana Julia Luisa, De Cicco, Hernán, Bolzi, Claudio Gustavo, Plá, Juan Carlos, Venier, Guillermo Luis, Bruno, C. J., Godfrin, Elena María, Durán, C. J.
Lenguaje:Español
Publicado: 1994
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v06_n01_p394
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling todo:afa_v06_n01_p3942023-10-03T13:21:59Z Elaboración y caracterización de junturas para celdas solares de silicio cristalino Martínez Bogado, M. G. Tamasi, Mariana Julia Luisa De Cicco, Hernán Bolzi, Claudio Gustavo Plá, Juan Carlos Venier, Guillermo Luis Bruno, C. J. Godfrin, Elena María Durán, C. J. Se realizaron numerosas experiencias de elaboración de la juntura n⁺p sobre obleas de silicio monocristalino tipo p, mediante la difusión de fósforo en horno a alta temperatura a partir de una fuente líquida de POCl₃. La técnica utilizada consta de dos pasos: una predeposición a aproximadamente 850 C, con burbujeo de N₂ seco a través de dicha fuente, seguida de una redistribución (“drive-in") posterior a 1050 C. La caracterización de las obleas difundidas se realizó mediante la medición de la resistencia de capa del emisor n⁺, utilizando la técnica de cuatro puntas. En algunas muestras, se determinó el perfil de concentración de fósforo mediante una técnica basada en la oxidación anódica de la superficie. Se presentan los valores de resistencia de capa obtenidos en función del tiempo de burbujeo a través de la fuente líquida y se analiza la repetibilidad del proceso utilizado Several experiences of building up n⁺p junctions were carried out on p-type monocrystalline silicon wafers, by means of diffusion of phosphorous in a high temperature furnace, from a POCl₃ liquid source. The technique used involves two steps: a predeposition at about 850 C, with dry N₂ bubbling through that source, followed by a drive-in at 1050 C. The diffused wafers were characterized by measuring their n⁺ emitter sheet resistance, using the four point probe technique. In some wafers, the concentration profile of P was determined through a technique based on anodic oxidation of the surface. Values of sheet resistance for several bubbling times are shown, and the repetitiveness of the process is discussed Fil: Martínez Bogado, M. G.. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: Tamasi, Mariana Julia Luisa. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: De Cicco, Hernán. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: Bolzi, Claudio Gustavo. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: Plá, Juan Carlos. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: Venier, Guillermo Luis. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: Bruno, C. J.. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: Godfrin, Elena María. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina Fil: Durán, C. J.. Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA). Departamento Fuentes Renovables y Uso Racional de la Energía. CABA. Argentina 1994 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v06_n01_p394
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