Elaboración y caracterización de junturas para celdas solares de silicio cristalino
Se realizaron numerosas experiencias de elaboración de la juntura n⁺p sobre obleas de silicio monocristalino tipo p, mediante la difusión de fósforo en horno a alta temperatura a partir de una fuente líquida de POCl₃. La técnica utilizada consta de dos pasos: una predeposición a aproximadamente 850...
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| Autores principales: | , , , , , , , , |
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| Lenguaje: | Español |
| Publicado: |
1994
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| Acceso en línea: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v06_n01_p394 |
| Aporte de: |
| Sumario: | Se realizaron numerosas experiencias de elaboración de la juntura n⁺p sobre obleas de silicio monocristalino tipo p, mediante la difusión de fósforo en horno a alta temperatura a partir de una fuente líquida de POCl₃. La técnica utilizada consta de dos pasos: una predeposición a aproximadamente 850 C, con burbujeo de N₂ seco a través de dicha fuente, seguida de una redistribución (“drive-in") posterior a 1050 C. La caracterización de las obleas difundidas se realizó mediante la medición de la resistencia de capa del emisor n⁺, utilizando la técnica de cuatro puntas. En algunas muestras, se determinó el perfil de concentración de fósforo mediante una técnica basada en la oxidación anódica de la superficie. Se presentan los valores de resistencia de capa obtenidos en función del tiempo de burbujeo a través de la fuente líquida y se analiza la repetibilidad del proceso utilizado |
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