Estado actual del desarrollo de celdas solares de silicio en la CNEA

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Se presenta el estado de avance del desarrollo de celdas solares de silicio monocristalino en la CNEA. Se elaboraron celdas solares a partir de obleas de silicio cristalino tipo p, obteniendo las junturas frontal y posterior por difusión de los dopantes en una sola etapa. Los contactos metálicos se...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Bolzi, Claudio Gustavo, Bruno, C. J., Campitelli, Emiliano Nehuen, Durán, Julio César, Godfrin, Elena María, Lamagna, Alberto, Merino, Luis M., Plá, Juan Carlos, Venier, Guillermo Luis
Lenguaje:Español
Publicado: 1995
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p209
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
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spelling todo:afa_v07_n01_p2092023-10-03T13:22:21Z Estado actual del desarrollo de celdas solares de silicio en la CNEA Bolzi, Claudio Gustavo Bruno, C. J. Campitelli, Emiliano Nehuen Durán, Julio César Godfrin, Elena María Lamagna, Alberto Merino, Luis M. Plá, Juan Carlos Venier, Guillermo Luis Se presenta el estado de avance del desarrollo de celdas solares de silicio monocristalino en la CNEA. Se elaboraron celdas solares a partir de obleas de silicio cristalino tipo p, obteniendo las junturas frontal y posterior por difusión de los dopantes en una sola etapa. Los contactos metálicos se realizaron por evaporación en vacío y posterior engrosamiento electrolítico. Se analizaron y utilizaron diversos tratamientos antirreflectantes sobre la cara frontal. Los desarrollos realizados permitieron diseñar, elaborar y caracterizar, por primera vez en el país, celdas fotovoltaicas de silicio cristalino con eficiencias superiores a las de dispositivos comerciales del mismo tipo. En particular, se obtuvieron valores de tensión de circuito abierto superiores a 600mV, corriente de cortocircuito de 34mA/cm², factor de llenado ("fill factor”) de 0,80, y eficiencias entre el 14% y el 15% The state of the art of monocrystalline silicon solar cells development in the National Atomic Energy Commission (CNEA) is presented. Solar cells were ellaborated on p-type crystalline silicon wafers achieving frontal and rear junctions by means of a one-step diffusion process. Metalic contacts were evaporated in a vaccum chamber and thickered by an electrolitic process. Several antireflecting coatings were analyzed and used Through this development, design, ellaboration and characterization of crystalline silicon photovoltaic cells with efficiencies higher than comercial devices of the same kind was possible for the first time in Argentina. Cells with open circuit voltages over 600 mV, short circuit currents of 32 mA/cm2, fill factors of 0.80 and efficiencies between 14% and 15%, were obtained Fil: Bolzi, Claudio Gustavo. Comisión Nacional de Energía Atómica. División Energía solar (CNEA). CABA. Argentina Fil: Bruno, C. J.. Comisión Nacional de Energía Atómica. División Energía solar (CNEA). CABA. Argentina Fil: Campitelli, Emiliano Nehuen. Comisión Nacional de Energía Atómica. División Energía solar (CNEA). CABA. Argentina Fil: Durán, Julio César. Comisión Nacional de Energía Atómica. División Energía solar (CNEA). CABA. Argentina Fil: Godfrin, Elena María. Comisión Nacional de Energía Atómica. División Energía solar (CNEA). CABA. Argentina Fil: Lamagna, Alberto. Comisión Nacional de Energía Atómica. División Energía solar (CNEA). CABA. Argentina Fil: Merino, Luis M.. Comisión Nacional de Energía Atómica. División Energía solar (CNEA). CABA. Argentina Fil: Plá, Juan Carlos. Comisión Nacional de Energía Atómica. División Energía solar (CNEA). CABA. Argentina Fil: Venier, Guillermo Luis. Comisión Nacional de Energía Atómica. División Energía solar (CNEA). CABA. Argentina 1995 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v07_n01_p209
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