Caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio
En el presente trabajo se presentan los resultados de la caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio obtenidas por deposición electroquímica sobre substratos de titanio. La caracterización efectuada comprende la caracterización de la morfología superficial mediante microscopía ó...
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1996
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todo:afa_v08_n01_p2012023-10-03T13:22:42Z Caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio Gueijman, Sergio Fabián Lamagna, Alberto Schvezov, Carlos Enrique En el presente trabajo se presentan los resultados de la caracterización de películas semiconductoras de fosfuro de indio obtenidas por deposición electroquímica sobre substratos de titanio. La caracterización efectuada comprende la caracterización de la morfología superficial mediante microscopía óptica y microscopía electrónica de barrido (SEM). Se presentan los resultados de la caracterización química puntual en distintas regiones de las películas por microsonda electrónica efectuados en el material depositado que dan el análisis cuantitativo aproximado de fósforo e indio presentes en las películas, pudiéndose inferir acerca de la presencia de un compuesto casi estequiométrico de fosfuro de indio, en ciertas circunstancias. Se presenta una estimación del espesor de las películas. Se verificó que el espesor es variable y dependiente de diversos parámetros de deposición. Además, se observó que, en las condiciones de agitación, existe una dependencia del espesor de la película con la formación de burbujas de hidrógeno sobre las mismas Indium phosphide films deposited on titanium substrate by an electrochemical method are characterized and the results presented and discussed. The films were characterized morphologicaly by optical microscopy and scanning electronic microscopy (SEM). In addition microprobe analysis was performed showing the formation of a stoichiometric compound. Estimations of the film thickness indicate that the thickness is strongly dependent on the process parameters and conditions Fil: Gueijman, Sergio Fabián. Universidad Nacional de San Martín (UNSAm-CNEA). Instituto Sábato. Buenos Aires. Argentina Fil: Lamagna, Alberto. Comisión Nacional de Energía Atómica. Grupo Energía solar (CAC-CNEA). Buenos Aires. Argentina Fil: Schvezov, Carlos Enrique. Universidad Nacional de Misiones. Facultad de Ciencias Exactas, Químicas y Naturales (UNaM-FCEQyN). Misiones. Argentina 1996 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v08_n01_p201 |
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