Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado

Mostrar todas las versiones(3)

El rendimiento de las celdas solares p-i-n de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) depende de la densidad de estados de la capa intrínseca, la cinética de recombinación y la movilidad de los portadores, como así también de las propiedades de las interfaces. La interpretación de las curvas característ...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Sturiale, A., Rubinelli, F. A.
Lenguaje:Español
Publicado: 2006
Acceso en línea:https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v18_n01_p252
Aporte de:
Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) de Universidad de Buenos Aires
id todo:afa_v18_n01_p252
record_format dspace
spelling todo:afa_v18_n01_p2522023-10-03T13:23:04Z Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado Sturiale, A. Rubinelli, F. A. El rendimiento de las celdas solares p-i-n de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) depende de la densidad de estados de la capa intrínseca, la cinética de recombinación y la movilidad de los portadores, como así también de las propiedades de las interfaces. La interpretación de las curvas características de una celda solar requiere del análisis computacional debido a la complejidad inherente de las estructuras. Luego de calibrar los parámetros de nuestro programa D-AMPS ajustando curvas experimentales de celdas solares de silicio amorfo hidrogenado de diferentes espesores, utilizamos el código como herramienta para intentar extraer información sobre la distribución de la densidad de enlaces colgantes (EC) presente en la capa intrínseca de los dispositivos p-i-n. La densidad de estados se puede describir en a-Si:H con el modelo convencional (UDM) donde la densidad de EC se supone uniforme en cada capa o utilizando el modelo de ‘’Defect Pool’’ (DPM) que propone en la capa intrínseca una densidad de EC que depende con la posición del nivel de Fermi, es decir no uniforme. Estudiando con D-AMPS los curvas corriente – tensión medidas a obscuras por J. Deng y sus colaboradores, donde varían la banda prohibida de la capa intrínseca y de la interfaz p/i encontramos nuevas evidencias a favor del modelo de DPM Fil: Sturiale, A.. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina Fil: Rubinelli, F. A.. Universidad Nacional del Litoral - CONICET. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC). Santa Fe. Argentina 2006 PDF Español info:eu-repo/semantics/openAccess https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v18_n01_p252
institution Universidad de Buenos Aires
institution_str I-28
repository_str R-134
collection Biblioteca Digital - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA)
language Español
orig_language_str_mv Español
description El rendimiento de las celdas solares p-i-n de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) depende de la densidad de estados de la capa intrínseca, la cinética de recombinación y la movilidad de los portadores, como así también de las propiedades de las interfaces. La interpretación de las curvas características de una celda solar requiere del análisis computacional debido a la complejidad inherente de las estructuras. Luego de calibrar los parámetros de nuestro programa D-AMPS ajustando curvas experimentales de celdas solares de silicio amorfo hidrogenado de diferentes espesores, utilizamos el código como herramienta para intentar extraer información sobre la distribución de la densidad de enlaces colgantes (EC) presente en la capa intrínseca de los dispositivos p-i-n. La densidad de estados se puede describir en a-Si:H con el modelo convencional (UDM) donde la densidad de EC se supone uniforme en cada capa o utilizando el modelo de ‘’Defect Pool’’ (DPM) que propone en la capa intrínseca una densidad de EC que depende con la posición del nivel de Fermi, es decir no uniforme. Estudiando con D-AMPS los curvas corriente – tensión medidas a obscuras por J. Deng y sus colaboradores, donde varían la banda prohibida de la capa intrínseca y de la interfaz p/i encontramos nuevas evidencias a favor del modelo de DPM
author Sturiale, A.
Rubinelli, F. A.
spellingShingle Sturiale, A.
Rubinelli, F. A.
Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado
author_facet Sturiale, A.
Rubinelli, F. A.
author_sort Sturiale, A.
title Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado
title_short Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado
title_full Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado
title_fullStr Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado
title_full_unstemmed Modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado
title_sort modelado de curvas corriente tensión a obscuras en celdas solares de silicio amorfo hidrogenado
publishDate 2006
url https://hdl.handle.net/20.500.12110/afa_v18_n01_p252
work_keys_str_mv AT sturialea modeladodecurvascorrientetensionaobscurasenceldassolaresdesilicioamorfohidrogenado
AT rubinellifa modeladodecurvascorrientetensionaobscurasenceldassolaresdesilicioamorfohidrogenado
_version_ 1807324038601637888

Ejemplares similares